Добро пожаловать!

Транзистор П416

Больше изображений

Транзистор П416
Артикул: 01001
3,00 грн.

Доступность: Ожидается

Транзисторы П416 германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.


Характеристики:


Структура транзистора: p-n-p
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 360 мВт
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 40 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 25... 80
Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Описание

Подробности

Транзисторы П416 германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Характеристики:

Структура транзистора: p-n-p
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 360 мВт
Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 40 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 мА
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 25... 80
Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Отзывы