Добро пожаловать!

Транзистор КТ840A

Больше изображений

Транзистор КТ840A
Артикул: 00962
10,00 грн.

Доступность: Ожидается

Транзисторы КТ840А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.

Характеристики:

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3)
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (900В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом

Описание

Подробности

Транзисторы КТ840А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.

Характеристики:

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3)
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (900В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом

Отзывы