Добро пожаловать!

Транзистор КТ826Б

Больше изображений

Транзистор КТ826Б
Артикул: 01344
10,00 грн.

Доступность: Есть в наличии

Транзисторы КТ826Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Транзисторы КТ826А, КТ826Б, КТ826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе. 
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Характеристики:

Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 300
Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом

Описание

Подробности

Транзисторы КТ826Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Транзисторы КТ826А, КТ826Б, КТ826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе. 
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Характеристики:

Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 300
Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом

Отзывы