Добро пожаловать!

Транзистор КТ819

Больше изображений

Транзистор КТ819
Артикул: 01042

Доступность: Ожидается

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 
Транзисторы (КТ)2Т819А, (КТ)2Т819Б, (КТ)2Т819В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Характеристики:

Тип корпуса: КТ-9
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм) - КТ819А80 В (0,1кОм) - КТ819Б
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Транзистор КТ819А

16,00 грн.

Транзистор КТ819Б

12,00 грн.
Описание

Подробности

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 
Транзисторы (КТ)2Т819А, (КТ)2Т819Б, (КТ)2Т819В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Характеристики:

Тип корпуса: КТ-9
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм) - КТ819А80 В (0,1кОм) - КТ819Б
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Отзывы