Добро пожаловать!

Транзистор КТ816Б,В

Больше изображений

Транзистор КТ816Б,В
Артикул: 00965

Доступность: Есть в наличии

Транзисторы КТ816Б,В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Характеристики:

Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126)
Структура транзистора: p-n-p
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм) (КТ816В)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм) (КТ816Б)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Транзистор КТ816В

9,00 грн.

Транзистор КТ816Б

Ожидается

9,00 грн.
Описание

Подробности

Транзисторы КТ816Б,В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.

Характеристики:

Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126)
Структура транзистора: p-n-p
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм) (КТ816В)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм) (КТ816Б)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Отзывы