Добро пожаловать!

Транзистор КТ801А

Больше изображений

Транзистор КТ801А
Артикул: 01000
9,00 грн.

Доступность: Есть в наличии

Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Характеристики:

Тип корпуса: КТЮ-3-9
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,1кОм)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 мА (80В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 13... 50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

Описание

Подробности

Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Характеристики:

Тип корпуса: КТЮ-3-9
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,1кОм)
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 мА (80В)
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 13... 50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

Отзывы