Транзистор КТ602

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.
Транзисторы КТ602АМ, КТ602БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Хараткеристики:

Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50...220 (КТ602БМ), 20... 80 (КТ602АМ)
Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс