Добро пожаловать!

Транзистор КТ301Е

Больше изображений

Транзистор КТ301Е
Артикул: 01053
9,00 грн.

Доступность: Есть в наличии

Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 
Предназначены для применения в усилителях и генераторах. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Характеристики:

Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц;
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120;
Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом

Описание

Подробности

Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. 
Предназначены для применения в усилителях и генераторах. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Характеристики:

Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц;
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120;
Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом

Отзывы